声明

本文是学习GB-T 35009-2018 串行NAND型快闪存储器接口规范. 而整理的学习笔记,分享出来希望更多人受益,如果存在侵权请及时联系我们

1 范围

本标准规定了串行与非(NAND)
型快闪存储器(以下称为器件)的物理接口、存储阵列架构、指令定

义和参数表说明等。

本标准适用于串行NAND 型快闪存储器的设计和使用。

2 规范性引用文件

下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文

件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。

GB/T 17574—1998 半导体器件集成电路第2部分：数字集成电路

3 术语和定义

GB/T 17574—1998界定的以及下列术语和定义适用于本文件。

3.1

状态寄存器 status register

存储器内部标志内部状态的寄存器。

3.2

一次性可编程 one-time programmable;OTP

存储器内只可编程一次的存储区域，该区域一次编程后不可再次修改。

3.3

纠错码 error correction code;ECC

一种可提高快闪存储器可靠性的纠错方法。

4 物理接口

4.1 引出端功能定义

器件引出端功能定义见表1。

表 1 引出端功能定义

引出端	输入/输出	功能定义
CS#	输入	片选信号输入，低电平有效
SO/SIO1	输入/输出	串行数据输出端/串行数据端1
WP#/SIO2	输入/输出	写保护端，低电平有效/串行数据端2
SI/SIO0	输入/输出	串行数据输入端/串行数据端0

GB/T 35009—2018

表 1 (续)

引出端	输入/输出	功能定义
GND	地	地
SCLK	输入	串行时钟输入端
HOLD#/SIO3	输入/输出	保持功能输入端，低电平有效/串行数据端3
VCC	电源	供电电源

4.2 数据接口类型

4.2.1 单端口模式

单端口模式配备4个信号端口，即SCLK,CS#,SI,SO。
支持串行输入模式0和模式3,即输入数

据在时钟上升沿采样，输出数据在时钟下降沿输出。此模式支持 HOLD#
保持功能和 WP# 写保护

功能。

4.2.2 双端口传输模式

双端口传输模式的数据传输速度是单端口模式的两倍。配备4个信号端口，即
SCLK,CS#,

SI/SIO0,SO/SIO1。支持串行输入模式0和模式3。此模式支持 HOLD# 保持功能和
WP# 写保护

功能。

双端口传输模式为可选模式。

4.2.3 四端口传输模式

四端口传输模式的数据传输速度是单端口模式的4倍。配备6个信号端口，即
SCLK,CS#,

SI/SIO0,SO/SIO1,WP#/SIO2,HOLD#/SIO3。支持串行输入模式0和模式3。由于
HOLD# 和

WP# 被作为数据端口，所以此模式不再支持 HOLD# 保持功能和WP#
写保护功能。

四端口传输模式通过设置寄存器 QE 实现，见5.2。当 QE
被设置为1后，所有四端口传输模式指

令均可直接启动四端口传输模式。

四端口传输模式为可选模式。

4.2.4 模式转换

单端口模式与双端口传输模式通过对应的指令直接转换。四端口传输模式通过设置寄存器
QE 实

现，见5.2。当 QE
被设置为1后，所有四端口传输模式指令均可直接启动四端口传输模式。

4.2.5 HOLD# 保持功能

在单端口模式和双端口传输模式下，HOLD#
信号驱动为低电平后，任何通过串口与器件端口的通

信都会被保持。如此时器件内部由于读写擦等动作处于忙状态，内部状态将不会被保持。

启动保持功能应 CS# 端保持为低电平，HOLD#
驱动为低电平，之后应等到时钟首次为低电平，保
持功能开启。如时钟不为低电平，则等到时钟为低电平时开启保持功能。当 HOLD#
驱动为高电平

后，应等到时钟首次为低电平，保持功能结束。

HOLD# 保持功能启动时，数据输出端为高阻，数据输入和时钟将无效，如CS#
在保持功能有效期

间驱动为高电平，保持功能也将被结束。 HOLD# 保持功能条件如图1所示。

HOLD# 保持功能为可选功能。

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style="width:11.31321in;height:2.88662in" />IIOLD#/SIO3

图 1 HOLD# 保持功能条件

4.2.6 WP# 写保护功能

在单端口模式和双端口传输模式下，WP# 信号驱动为低电平后，如保护位 BRWD
为1,则块保护

位(BP0,BP1,BP2, 和 INV,CMP) 将被锁定而不能修改，两信号应同时具备。

WP# 写保护功能为可选功能。

4.2.7 RESET# 复位功能

当系统无法控制器件时，可通过 RESET#

能，器件复位状态如下：

复位来实现。 RESET# 驱动为低电平后，启动复位功

— 处于待机模式；

——所有易失寄存器都回到上电后的状态；

——块0的页0的数据会下载到缓存中。

RESET#
实现方式：对于8个引出端的封装，在单端口模式或双端口传输模式下，HOLD#
引出端可通过寄存器复用为 RESET# 引出端。四端口传输模式下，由于 HOLD#
为数据端，所以无法实现复用。对于16引出端或者24引出端封装，RESET#
引出端可单独封装出来，此时单端口模式/双端口传

输模式/四端口传输模式均支持 RESET# 复位功能。

RESET# 复位功能为可选功能。

5 存储阵列架构

5.1 存储架构

存储阵列架构如图2所示。存储阵列由一个或多个面块组成，
一个面块由多个块组成，一个块是最小的擦除单元。
一个块由多个页组成，页地址称为行地址，
一个页由多个字节/字组成，页内地址称为列

地址。一个器件所含有的块个数应在参数表6中说明。

一个页是最小的读和写单元。
一个页包含用户数据区和备用区，由多个字节组成。其中数据区的

大小应是2的 N 次方。
一个块中页的个数应是32的倍数。页的大小应在参数表8中说明。

每个面块应有一个页缓存器。页缓存器在数据还没有送到存储阵列之前或者数据从存储阵列下载

后起到暂存数据的作用。

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style="width:8.46042in;height:6.14722in" />style="height:0.12012in" />style="height:0.1067in" />style="height:0.1199in" />style="height:0.13332in" />style="height:0.12012in" />style="height:0.1067in" />style="height:0.12672in" />

图 2 存储阵列架构图

5.2 状态寄存器

器件配备的寄存器状态位定义见表2和表3。所有非只读寄存器不应被复位指令
FFH 清零。如

CS# 在读取过程中保持为低电平，则读出的内部状态应即时更新。

表 2 状态寄存器位定义

地址	7	6	5	4	3	2	1	0
A0H	BRWD	RFU	BP2	BP1	BP0	INV	CMP	RFU
B0H	OTP PRT	OTP EN	PRT EN	ECC EN	RFU	GP PROT	RFU	QE
COH(只读)	RFU	RFU	ECCS1	ECCSO	P FAIL	E FAIL	WEL	OIP
F0H	RFU	RFU	RFU	PROT BLK	RFU	RFU	RFU	RFU
注：“RFU”表示保留位，用户在使用时应设置为低电平。

表 3 状态寄存器字节定义

地址	字节1	字节2	字节3	字节4	字节5
90H	低块地址[7:0]	低块地址[10:8]	高块地址[7:0]	高块地址[10:8]	反转字节

标明只读的为只读寄存器，未标明的为可读可写寄存器。各个寄存器状态位的描述见表4,状态位

里有可读可写寄存器和只读寄存器。除 OTP PRT、GP PROT、PROT BLK、
功能寄存器(地为址

90H) 外，均为易失寄存器，即掉电后数据易失。寄存器的支持情况见表9说明。

表 4 状态寄存器位描述

状态位	上电默认状态	描述
BRWD	*0’	块保护寄存器的保护位。当引出端WP#为低电平时有效

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表4(续)

状态位	上电默认状态	描述
BP2,BP1,BP0, INV,CMP	‘1,1,1,0,0'	块保护的保护位寄存器，参照附录A,当BRWD为高电平且WP#为低电平时，不可修改
OTP PRT	‘0’	保护OTP区域不被修改的非易失寄存器。此位为掉电后数据还保持的非易失寄存器。设置后将永久不可修改
OTP EN	‘0’	OTP区域访问使能信号。当此寄存器设置为高电平时，才可对OTP区域做编程和读取操作，否则不可访问OTP区域
PRT EN	‘0'	永久块保护使能信号。置为‘1'时表示可设置块保护区域
ECC EN	‘1'	ECC使能信号。当此寄存器设置为高电平时，内部ECC被打开，否则内部ECC被关闭
GP PROT	‘0’	非易失性的永久块保护地址组设置成功标志，不可编写。PRT EN置起来后，编程成功，置为‘1’,掉电后不易失
QE	‘0’	四端口传输模式启动的使能信号。只有此寄存器设置为高电平时，才可进入四端口传输模式
ECCS1,ECCSO	块0页0的ECC状态	ECC状态位标志，为只读寄存器
P FAIL	‘0’	编程失败与否的标志，为只读寄存器。当置为高电平时，表示本次执行编程操作失败，反之编程操作成功
E FAIL	‘0’	擦除失败与否的标志，为只读寄存器。当置为高电平时，表示本次执行擦除操作失败，反之擦除操作成功
WEL	‘0'	写使能标志，为只读寄存器。当写使能指令06H在闲时被器件接收后，此寄存器置位为高电平
OIP	‘0’	器件忙状态标志，为只读寄存器。当为高电平时，表示器件处于忙状态，为低电平时表示器件处于闲状态
PROT BLK _	‘0’	非易失性的永久块保护状态位。如一个块被保护了，此位为‘1’
低块地址[7:0],低块地址[10:8]		非易失性的永久块保护低块的地址
高块地址[7:0],高块地址[10:8]		非易失性的永久块保护高块的地址
反转字节	FFH	非易失性的。当反转字节为FFH时，反转位为1,否则反转位为0。当反转位为1时，保护设定范围外的区域。当反转位为0时，保护设定范围内的区域

5.3 器件保护功能

5.3.1 数据保护功能

器件提供如下数据保护模式：

a) 块保护：块保护(以下简称
BP)方式对块进行写保护，当某个块处于写保护范围内时，任何对此
锁定块的编程和擦除操作都将不被执行。块保护的方式通过设置寄存器实现，寄存器设置对
应的保护方式见5.2。块保护的寄存器为易失寄存器，每次上电后，都恢复到默认状态。为了

保护数据，默认状态下所有块均被保护，所以对某个块作写操作，应首先将其保护锁定打开。

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其中 CMP 和 INV
两个寄存器为可选寄存器，是否支持应在参数列表中说明。块保护方式参

照附录 A。

b)
保护寄存器也可被保护起来，当被保护起来时，保护寄存器位不可被修改。引出端
WP# 置为

低电平且寄存器 BRWD 为高电平，二者缺一不可。

5.3.2 永久块保护功能

永久块保护可通过设定状态寄存器来设定保护区域，防止编程和擦除操作。永久块保护操作步

骤为：

a) 设置 PRT EN 为高电平；

b) 设置功能寄存器90H;

c) 设置高块地址、低块地址和反转字节；

d) 发送10H+3 字节地址，编程将保护范围固化，固化成功后 GP PROT
会置为高电平，否则依然保持“0”。

擦除/编程永久块保护区域，会导致擦除/编程失败。这种保护功能是非易失性的，上电/断电都不

会影响保护状态。

5.3.3 唯一性标识

器件提供读唯一性标识功能，步骤为：

a) 发送 ECH+0x00 地址，将唯一性标识读取到缓存内；

b) 发送0FH 指令读状态寄存器；

c) 用户可使用从缓存读数据指令(03H/0BH/3BH/6BH/BBH/EBH)
从缓存中读唯一性标识。

唯一性标识可存储在快速存储阵列中，允许主机以确定唯一性标识没有比特错误，则唯一性标识用
他的补码形式返回。如唯一性标识和他的位补码的异或都是1,唯一性标识是有效的。为了适应唯一
性标识的检索以防止位错误，应存储16份唯一性标识的副本及其对应的补码。例如，主机读32字节~

36字节，应返回唯一性标识的另一个副本和他的补码。

5.3.4 OTP 保护

只读OTP
区域在出厂之前，由系统制造商将数据写入，系统出厂后用户只能通过读取指令将
OTP

区域的数据读出

器件中可选的提供一次编程存储区域和只读OTP 区域，OTP
各个区域的大小应列在参数列表中。

OTP 保护的操作步骤为：

a) 功能位 OTP EN 应置位为高电平；

b) 通过编程指令将数据编程到相应的地址页；

c) 主机记录完数据后，应设置功能位 OTP PRT, 将 OTP 区域锁定。锁定后的
OTP 区域将不能再次被编程，只能执行读操作。

OTP 区域的读操作同样应将功能位 OTP EN
置为高电平，之后通过读取数据指令读取相应的地

址，从而将数据读出。功能位配置和指令见5.2。

5.4 器件自毁功能

器件遇到特殊情况可启动自毁功能。自毁之后，不再接收任何指令，即便掉电也不可恢复。此模式

永久生效。器件自毁功能的时序见6.2.11。

自毁功能为可选功能。

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6 指令定义

6.1 指令集说明

所有的指令、地址和数据，都是在CS# 为低电平后SCLK
的上升沿，从最高有效位开始输入和输出

器件。将一个字节指令代码输入到器件，最高有效位首先在 SI 端，每位在 SCLK
的上升沿时锁定。

每一个指令序列都以一个字节的指令代码开始。根据指令不同，后面可能是地址字节、数据字节，
或者两者都有，或者都没有。当指令序列的最后一位输入完成后，CS#
应驱动为高电平。对于读、快速
读、读状态寄存器、读器件标识等指令，输入的指令序列后跟着数据输出序列，数据输出序列中的任何位
被移出后 CS#
均可被驱动为高电平。对于页编程、块擦除、写状态寄存器、写使能、写禁止、深度休眠等
指令，CS# 应在一个字节指令后驱动为高电平，否则指令不执行。即CS#
为低电平后，时钟脉冲是八的整数倍时，CS#
应驱动为高电平。对于页编程，如再输入不是一个完整的字节时CS# 被驱动为高电

平，WEL 将不会被复位。指令集见表5。

表 5 指令集

指令名称	字节1	字节2	字节3	字节4	字节5	字节6	字节N
写使能	06H
写禁止	04H
读状态寄存器	0FH	A7～A0	D7～D0				循环
写状态寄存器	1FH	A7～A0	D7～D0	——
读页数据(到缓存)	13H	A23～A16	A15～A8	A7～A0
从缓存读数据	03H	A15～A8	A7～A0	冗余	D7～D0	下一组	循环
快速从缓存读数据	0BH	A15～A8	A7～A0	冗余	D7～D0	下一组	循环
双端口从缓存读数据	3BH	A15～A8	A7～A0	冗余	D7～D0 x2	下一组	循环
四端口从缓存读数据	6BH	A15～A8	A7～A0	冗余	D7～D0 x4	下一组	循环
编程前单端口加载数据	02H	A15～A8	A7～A0	D7～D0	下一组	下一组	字节N
编程前四端口加载数据"	32H	A15～A8	A7～A0	D7～D0 x4	下一组	下一组	字节N
页编程	10H	A23～A16	A15～A8	A7～A0
编程前单端口随机加载数据	84H	A15～A8	A7～A0	D7～D0	下一组	下一组	字节N
编程前四端口随机加载数据	C4H/34H	A15～A8	A7～A0	D7～D0 x4	下一组	下一组	字节N
块擦除	D8H	A23～A16	A15～A8	A7～A0	—
复位	FFH		——	——
读标识	9FH	A7～A0	制造商标识	器件标识			循环
读参数表	5AH	A23～A16	A15～A8	A7～A0	冗余	(D7～D0)	(连续)
器件自毁	A5H-冗余-FAH-冗余-A5H-冗余-0AH-冗余-10H
表示可选的指令集。
注：A15～A0表示页内的字节地址，A23～A0表示页地址。

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6.2 指令集描述

6.2.1 写使能(06H)

写使能(06H) 是为了设置写使能寄存器 WEL, 在用户改变存储阵列的内容前，WEL
的寄存器应设置为高电平，才可执行写操作。写操作包括页编程、OTP
区域编程、OTP 保护、块擦除。写使能寄存器

WEL 在每次写操作结束后自动清为零，也可通过写禁止指令04H 清除为零。

<img src="https://ab.github5.com/GB_9_26_file_path/c6dc5228ad5f3d07/media/image14.jpeg"

style="width:5.58659in;height:2.78652in" />06H 指令的时序如图3所示。

图 3 06H 指令时序图

6.2.2 写禁止(04H)

写禁止(04H) 是为了复位写使能锁存位 WEL。WEL 位在下列情况下会被复位：

——写状态寄存器完成后，掉电复位并再次上电后；

——在页编程、块擦除、擦除/编程安全寄存器、复位指令完成后。

04H 指令时序如图4所示。

style="width:5.55339in;height:2.66662in" />

图 4 04H 指令时序图

6.2.3 读状态寄存器(0FH)

读状态寄存器(0FH) 用来监控器件的状态。可通过0FH
后加访问地址将对应的寄存器内容读出。

0FH 指令时序如图5所示。

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style="width:11.41328in;height:3.02676in" />

最高有效位

图 5 0FH 指令时序图

6.2.4 写状态寄存器(1FH)

写状态寄存器(1FH)
可对所有可写可读的寄存器进行修改。对于易失寄存器，可直接修改内容。

对于非易失寄存器，比如 OTP PRT, 执行完写状态寄存器后，还应将 OTP EN
置为高电平，将 WEL

置为高电平，发送编程指令，当编程操作完成后，才完成了 OTP PRT 的写入。1FH
指令时序如图6

所示。

style="width:11.45339in;height:2.84411in" />

图 6 1FH 指令时序图

6.2.5 读页数据(13H)

读页数据(13H) 分为两个步骤：

a) 发送读页数据指令13H, 将页数据下载到缓存内；

b) 待13H 指令执行完毕后，发送03H/0BH/3BH/6BH 从缓存中将数据读出。

13H 指令后面应跟24位地址，地址指向所访问页的地址。13H
指令只能在非忙时执行，执行过程
中可通过判断内部忙状态来确定是否执行完毕。执行完毕后，数据已从存储阵列下载到缓存中。13H

指令时序如图7所示。

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style="width:8.34669in;height:9.16674in" />

图 7 1FH 指令时序图

03H/0BH/3BH/6BH
指令时序分别如图8、图9和图10所示。地址为页内地址，即16位列地址。
其中有效地址的最高位为面块地址说明，如面块个数为1,那么面块地址为0。各个指令的冗余字节个
数和位置均应在参数列表中说明。在执行6BH 四端口指令之前，应设置寄存器QE
为高电平进入四端

口传输模式，才能执行四端口指令。

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style="width:9.95999in;height:6.11336in" />

图 8 03 H/0BH 指令时序图

style="width:9.73327in;height:2.93326in" />

CS#

24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39

SCLK

冗余字节

4 2 0 6 4 2 0 6 4 2

输出数据1 输出数据2

SO:SIO1

5 3 1 7 5 3 1 7 5 3

最高有效位最高有效位

图 9 3 BH 指令时序图

style="width:8.49993in" />style="width:3.68003in" />style="width:8.11337in;height:4.42662in" />GB/T 35009—2018

CS#

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 1213 14 22 23

SCLK

地址15-0

SI(S100)

style="width:3.74674in" />

高阻
高阻

CS#

SCLK

SI(SIO0)

SO(SIO1)

WP#(SJO2)

HOLD#(SIO3)

图10 6BH 指令时序图

6.2.6 页编程(10H)

页编程(10H) 分为3个步骤：

a) 用06H 指令打开写使能寄存器 WEL;

b) 通过02H/32H/84H/C4H/34H 指令将数据下载到缓存中；

c) 发送编程执行指令10H, 此时器件内部处于忙状态，直到编程执行完毕。

02H/32H/84H/C4H/34H
指令时序分别如图11、图12、图13和图14所示。地址为页内地址。其
中有效地址的最高位为面块地址说明，如面块个数为1,那么面块地址为0。在执行32H/C4H/34H
四

端口指令前，应设置寄存器 QE
为高电平进入四端口传输模式，才能执行四端口指令。

GB/T 35009—2018

CS#

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 1 13 14 22 23

SCLK

指令

02H

地址15-0

1 10

3 2

CS#

SCLK

24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39

数据1

7 6 5 4 3 2

最高有效位

图 1 1 02 H 指令时序图

CS#

SCLK

SI(SI00)

SO(S1O1)

WP#(SIO2)

IIOLD#(S[O3)

CS#

32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 4344 2 45 46 47

SCLK

S1(SIO0)

字节12

4 0 () 4 ()
style="height:0.13992in" /> () () 4 0 4 () 4 0 4 0) 4 0 4 () (

SO(SIO1)

WP#(SIO2)

HOLD#(SIO3)-

了

2 6

3 7

图12 32H 指令时序图

style="height:3.60668in" />style="width:12.04028in;height:4.58056in" />style="width:10.35332in;height:0.37334in" />GB/T 35009—2018

style="width:9.5934in;height:2.38678in" />CS#

SCLK

style="width:11.91328in;height:2.56674in" />SI

指令时序图

CS:

SCLK

SI(SIO0)

SO(S101)

WP#(SIO2)

HO1. 1)(S103)-

33 34 35

36 37 38 39

40 41 42 43 44 45 46 47

字节11 字节12 字书

0 0 0

图14 C4H/34H 指令时序图

10H 指令后面应给定24位地址，地址指向所访问页的地址。10H
指令只能在非忙时执行，执行过

程中可通过判断内部忙状态来确定是否执行完毕。执行完毕后，数据已从缓存下载到存储阵列。10H

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style="width:8.51991in;height:6.31334in" />指令时序如图15所示。

style="width:8.40663in;height:2.92006in" />

图15 10H 指令时序图

6.2.7 块擦除(D8H)

块擦除(D8H) 操作以块为单位，分为两个步骤：

a) 用06H 指令打开写使能寄存器 WEL;

b) 发送块擦除指令D8H,
此时器件处于内部忙状态。直到指令执行完毕，执行过程中可通过判
断内部忙状态来确定是否执行完毕。 D8H
指令只能在器件内部空闲状态时发送并执行。

D8H 指令时序如图16所示。

GB/T 35009—2018

style="width:8.57341in;height:9.48002in" />

图16 D8H 指令时序图

6.2.8 夏位(FFH)

复位(FFH)
将停止一切正在做的内部操作，器件任何时候都应响应指令。该指令发送后，器件内
部处于忙状态，直到执行结束，器件自动恢复到空闲状态。可通过读内部寄存器实时读取内部状态。另

外，此指令对对寄存器和数据的作用如下：

a) 将只读寄存器中的数据清零；

b) 保留非只读寄存器中的数据；

c) 保留缓存和内部寄存器中的数据。 FFH 指令时序如图17所示。

style="width:8.02667in;height:2.46004in" />class="anchor">GB/T 35009—2018

style="width:8.22665in;height:3.27998in" />SO

style="width:8.47361in;height:2.71389in" />

最高有效位最高有效位

图17 FFH 指令时序图

6.2.9 读标识(9FH)

读标识(9FH)
可将制造商信息以及芯片基本信息读出，包括制造商标识和器件标识，用户通过读标

识来确认器件。9FH 指令时序如图18所示。

GB/T 35009—2018

style="width:8.74663in;height:6.0401in" />

图18 9FH 指令时序图

6.2.10 读参数表(5AH)

参数表描述了器件的功能、特性和容量，这些参数表可通过主机系统进行查询。5AH
指令时序如

图 1 9 所示。

style="width:8.4466in;height:5.73913in" />

图19 5AH 指令时序图

6.2.11 器件自毁(A5H-FAH-A5H-0AH-10H)

器件执行自毁指令后，不再接受任何指令。执行器件自毁指令的步骤如下：

a) 驱动CS# 为低电平；

b) 连续发送 A5H-FAH-A5H-0AH 指令，每个指令码发送后应驱动 CS#
为高电平；

c) 发送10H 指令。

style="width:3.87339in" />style="width:8.54666in" />style="width:4.59335in" />style="width:2.68001in" />style="height:0.96668in" />style="width:4.04in" />style="width:2.63344in" />style="width:9.63336in;height:2.77992in" />GB/T 35009—2018

指令执行完毕后，器件完成自毁。 A5H-FAH-A5H-0AH-10H
指令时序如图20所示。

CS#

01 2 3 45 6 7

SCLK

指令

A5H

8 9 14151617 22232425 30313233 4039

高阳

CS#

SCLK

style="width:8.14011in" />

8 9 14 151617 22 232425 3031 3233 4039

style="width:2.57995in;height:0.31328in" />

指令.

SO 高阻

图20 A5H-FAH-A5H-OAH-10H 指令时序图

6.3 指令格式模式

指令格式模式是指指令/地址/数据输入的形式。器件是否支持某种指令模式，应在表7中说明。

模式描述如下：

a)
1-1-1模式，指令/地址/数据分别是单端口-单端口-单端口输入，时序如图21所示；

b)
1-1-2模式，指令/地址是按单端口输入，而数据是按双端口输入，时序如图22所示；

c) 1-1-4
模式，指令/地址是按单端口输入，而数据是按四端口输入，时序如图23所示。

图21 1-1-1模式

style="width:8.27337in;height:2.81336in" />

图22 1-1-2模式

GB/T 35009—2018

style="width:8.09375in;height:4.48056in" />

图23 1-1-4模式

7 参数表说明

7.1 参数表头定义

参数表头位于参数表的首地址，他告知用户信息是有效的。参数表头的参数定义如图24所示。

7:0 15:8 23:16 31:24

0x53	0x46	0x49	保留位设为0xFF

图24 参数表头定义

7.2 参数列表定义

7.2.1 参数列表定义

参数列表定义如图25所示，其中[15:0]分别为参数列表长度，[23:16]为列表版本号，[31:24]为保

留位，应设置为0xFF。

15:() 23:16 31:24

列表长度	列表版木号	保留位设为0xFJ

图25 参数列表头定义

7.2.2 参数列表双字1定义

双字1定义见表6。

表 6 参数列表双字1 定义

位置	描述
[18:0]	器件中块的总数
[31:19]	器件在寿命周期中出现的坏块的最大个数

GB/T 35009—2018

7.2.3 参数列表双字2定义

双字2定义见表7。

表 7 参数列表双字2定义

位置	描述
[15:0]	每个块中页的个数
[31:16]	保留位

7.2.4 参数列表双字3定义

双字3定义见表8。

表 8 参数列表双字3定义

位置	描述
[2:0]	页的大小 001:512字节 100:8k字节	010:2k字节 101:16k字节	011:4k字节其他：保留位
[4:3]	面块的个数。 00:1面块 01:2面块其他：保留位
[15:5]	页备用区大小
[16]	器件是否包含OTP区域： 0:不包含 1:包含
[23:17]	器件包含的OTP区域的大小，以页为单位
[31:24]	OTP区域的起始地址

7.2.5 参数列表双字4定义

双字4定义见表9。

表 9 参数列表双字4定义

位置	描述
[7:0]	[0]是否支持寄存器A0 [1]是否支持寄存器B0 [2]是否支持寄存器CO [3]是否支持寄存器F0 [4]是否支持寄存器90 [7:5]保留位 0:不支持 1:支持

GB/T 35009—2018

表 9 (续)

位置	描述
[8]	是否支持内部ECC 0:不支持 1:支持
[15:9]	内部ECC纠错能力大小
[19:16]	ECC纠错单位 0010:512字节 0011:1k字节其他：保留位
[31:20]	ECC所需空间

7.2.6 参数列表双字5定义

双字5定义见表10。

表10 参数列表双字5定义

位置	描述
[0]	器件是否支持HOLD#保持功能 0:不支持 1:支持
	器件是否支持WP#写保护功能 0:不支持 1:支持
[6:2]	保留位
[7]	器件是否支持1-1-2读指令 0:不支持 1:支持
[8]	器件是否支持1-1-4读指令 0:不支持 1:支持
[14:9]	保留位
[15]	器件是否支持1-1-2数据加载指令 0:不支持 1:支持
[16]	器件是否支持1-1-4数据加载指令 0:不支持 1:支持
[31:17]	[17]是否支持自毁功能 [18]是否支持复位功能 [19]是否支持永久块保护 20]是否支持唯一性标识 [31:21]保留位

GB/T 35009—2018

7.2.7 参数列表双字6定义

双字6定义见表11。

表11 参数列表双字6定义

位置	描述
[0]	器件是否支持块保护位CMP和INV功能 0:不支持 1:支持
[31:1]	保留位

7.2.8 参数列表双字7定义

双字7定义见表12。

表12 参数列表双字7定义

位置	描述
[15:0]	最大时钟频率
[23:16]	从时钟下降沿开始到数据输出有效的最大值
[31:24]	从时钟下降沿开始到数据输出无效的最小值

7.2.9 参数列表双字8定义

双字8定义见表13。

表13 参数列表双字8定义

位置	描述
[31:0]	最大复位时间

7.2.10 参数列表双字9定义

双字9定义见表14。

表14 参数列表双字9定义

位置	描述
[31:0]	最大读取数据忙时间

7.2.11 参数列表双字10定义

双字10定义见表15。

GB/T 35009—2018

表15 参数列表双字10定义

位置	描述
[31:0]	编程数据忙时间典型值

7.2.12 参数列表双字11 定义

双字11定义见表16。

表16 参数列表双字11定义

位置	描述
[31:0]	编程数据忙时间最大值

7.2.13 参数列表双字12定义

双字12定义见表17。

表17 参数列表双字12定义

位置	描述
[31:0]	块擦除忙时间

7.2.14 参数列表双字13定义

双字13定义见表18。

表18 参数列表双字13定义

位置	描述
[31:0]	块擦除忙时间最大值

GB/T 35009—2018

附录 A

(资料性附录)

块保护(BP) 方式

块保护方式见表 A.1。

表 A.1 BP 方式

CMP	INV	BP2	BP1	BP0	保护范围
x	X	0	0	0	全部都不保护
0	0	0	0	1	最上面1/64被保护
0	0	0	1	0	最上面1/32被保护
0	0	0	1	1	最上面1/16被保护
0	0	1	0	0	最上面1/8被保护
0	0	1	0	1	最上面1/4被保护
0	0	1	1	0	最上面1/2被保护
x	x	1	1	1	全部被保护
0	1	0	0	1	最下面1/64被保护
0	1	0	1	0	最下面1/32被保护
0	1	0	1	1	最下面1/16被保护
0	1	1	0	0	最下面1/8被保护
0	1	1	0	1	最下面1/4被保护
0	1	1	1	0	最下面1/2被保护
1	0	0	0	1	最下面63/64被保护
1	0	0	1	0	最下面31/32被保护
1	0	0	1	1	最下面15/16被保护
1	0	1	0	0	最下面7/8被保护
1	0	1	0	1	最下面3/4被保护
1	0	1	1	0	只保护块0
1	1	0	0	1	最上面63/64被保护
1	1	0	1	0	最上面31/32被保护
1	1	0	1	1	最上面15/16被保护
1	1	1	0	0	最上面7/8被保护
1	1	1	0	1	最上面3/4被保护
1	1	1	1	0	只保护块0

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更多内容可以 GB-T 35009-2018 串行NAND型快闪存储器接口规范. 进一步学习

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DB 5304-T 078.4—2023 玉溪市除虫菊栽培综合标准第 4 部分:除虫菊栽培技术玉溪市.pdf

声明

1 范围

2 规范性引用文件

3 术语和定义

4 物理接口

4.1 引出端功能定义

4.2 数据接口类型

4.2.1 单端口模式

4.2.2 双端口传输模式

4.2.3 四端口传输模式

4.2.4 模式转换

4.2.6 WP# 写保护功能

4.2.7 RESET# 复位功能

5 存储阵列架构

5.1 存储架构

5.2 状态寄存器

5.3 器件保护功能

5.3.1 数据保护功能

5.3.2 永久块保护功能

5.3.3 唯一性标识

5.3.4 OTP 保护

5.4 器件自毁功能

6 指令定义

6.1 指令集说明

6.2 指令集描述

6.2.1 写使能(06H)

<img src="https://ab.github5.com/GB_9_26_file_path/c6dc5228ad5f3d07/media/image14.jpeg"

6.2.2 写禁止(04H)

04H 指令时序如图4所示。

6.2.3 读状态寄存器(0FH)

0FH 指令时序如图5所示。

6.2.4 写状态寄存器(1FH)

6.2.5 读页数据(13H)

6.2.6 页编程(10H)

1 10

3 2

2 6

3 7

33 34 35

36 37 38 39

6.2.7 块擦除(D8H)

6.2.8 夏位(FFH)

6.2.9 读标识(9FH)

6.3 指令格式模式

7 参数表说明

7.1 参数表头定义

7.2 参数列表定义

7.2.1 参数列表定义

7.2.2 参数列表双字1定义

7.2.3 参数列表双字2定义

7.2.4 参数列表双字3定义

7.2.5 参数列表双字4定义

7.2.6 参数列表双字5定义

7.2.7 参数列表双字6定义

7.2.8 参数列表双字7定义

7.2.9 参数列表双字8定义

附 录 A

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